存储器单元、电子系统、形成存储器单元的方法及对存储器单元进行编程的方法

摘要

一些实施例包括具有彼此以电介质材料隔开的垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元。所述电介质材料可包含高k材料。所述电荷捕获区中的一者或一者以上可包含金属材料。所述金属材料可作为例如纳米点的多个离散隔离岛状物而存在。一些实施例包括形成存储器单元的方法，其中两个电荷捕获区形成于隧穿电介质上，其中所述区相对于彼此垂直地移位，且其中最接近于所述隧穿电介质的区具有比另一区深的陷阱。一些实施例包括包含存储器单元的电子系统。一些实施例包括对具有垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元进行编程的方法。

主权项

一种存储器单元，其包含彼此以包含至少一种电介质材料的区域隔开的一对电荷捕获区，所述至少一种电介质材料含有镧系元素、氧及氮；其中所述一对电荷捕获区的两个所述电荷捕获区均包含多个纳米点；其中所述电荷捕获区中的一者的所有所述纳米点形成具有第一平均横截面尺寸的第一群体；其中所述电荷捕获区中的另一者的所有所述纳米点形成具有第二平均横截面尺寸的第二群体；且其中所述第一平均横截面尺寸与所述第二平均横截面尺寸相差至少10％；且其中所述电荷捕获区相对于彼此垂直地堆叠，其中所述电荷捕获区中的一者为下部电荷捕获区且另一者为上部电荷捕获区；所述存储器单元进一步包含所述下部电荷捕获区与低层半导体衬底之间的隧穿电介质；且所述上部电荷捕获区的所述纳米点群体具有比所述下部电荷捕获区的所述纳米点群体小的平均横截面尺寸。