| 发明名称 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了等离子体处理装置及等离子体处理方法，该等离子体处理装置包括：（1）腔室，其被电介质部件包围，且具备作为等离子体喷出口的开口部；（2）气体供给配管，其向腔室内部导入气体；（3）螺线管线圈，其配置在腔室附近；（4）高频电源，其连接于螺线管线圈，且具备脉冲调制功能；以及（5）基材载置台，其配置在等离子体喷出口侧。根据该等离子体处理装置，能够稳定地生成等离子体。 | ||
| 申请公布号 | CN103151234A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201210517334.7 | 申请日期 | 2012.12.05 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥村智洋 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 刘晓迪 |
| 主权项 | 等离子体处理装置，包括：腔室，其被电介质部件包围，且具备作为等离子体喷出口的开口部；气体供给配管，其向所述腔室内部导入气体；螺线管线圈，其配置在所述腔室附近；高频电源，其连接于所述螺线管线圈，且具备脉冲调制功能；以及基材载置台，其配置在所述等离子体喷出口侧。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||