| 发明名称 | 一种聚酰亚胺薄膜表面电荷快速消散方法 | ||
| 摘要 | 本发明专利涉及一种聚酰亚胺薄膜表面电荷快速消散方法，他包括利用卤族元素强的氧化性，采用卤族元素气体对聚酰亚胺薄膜系列产品进行表面改性处理，替换薄膜表面一层分子结构中C-H结构上的氢原子，形成一层均匀分布的C-卤族元素结构。当处于放电环境中，此层能够有效阻止表面电荷的积累，显著提高其表面电荷消散速度。 | ||
| 申请公布号 | CN103146012A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201210473963.4 | 申请日期 | 2012.11.21 |
| 申请人 | 天津学子电力设备科技有限公司 | 发明人 | 杜伯学;李杰;杜伟 |
| 分类号 | C08J7/12(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I | 主分类号 | C08J7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 本发明专利涉及一种聚酰亚胺薄膜表面电荷快速消散方法，他包括：1.利用卤族元素强的氧化性，采用卤族元素气体对聚酰亚胺薄膜系列产品进行表面改性处理，替换薄膜表面一层分子结构中C-H结构上的氢原子，形成一层均匀分布的C-卤族元素结构。当处于放电环境中，此层能够有效阻止表面电荷的积累，显著提高其表面电荷消散速度。 | ||
| 地址 | 300072 天津市滨海新区汉沽后坨里26号楼1门201室 | ||