发明名称 |
信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,用以解决现有技术中因栅极和源极、漏极存在一定重合而产生耦合电容的问题。所述方法包括在基板上依次沉积用于制作信号线的材料层、用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层;通过干法刻蚀构图工艺,制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层;同一干法刻蚀条件下,用于制作第一阻挡层的材料的横向刻蚀速度大于用于制作第二阻挡层的材料的横向刻蚀速度;通过湿法刻蚀构图工艺制得信号线,形成具有多层绝缘层结构的薄膜晶体管,细化了栅极的宽度,缩小了栅极和源极、漏极的重合区域,增大了栅极的电容,提高了薄膜晶体管的传输速度,改善了薄膜晶体管的沟道特性。 |
申请公布号 |
CN103151253A |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201310056045.6 |
申请日期 |
2013.02.22 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
阎长江;谢海征;陈磊;徐少颖;谢振宇 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种信号线的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上依次沉积用于制作信号线的材料层、用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层;通过构图工艺制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层;通过构图工艺制得所述信号线。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |