具有可调输出电容值的功率半导体组件以及制作方法

摘要

本发明公开了一种具有可调输出电容值的功率半导体组件包括一定义有一第一组件区以及一第二组件区的半导体基底、一设于第一组件区内的功率晶体管组件、一设于第二组件区的半导体基底内的重掺杂区、一设于重掺杂区上的电容介电层、一设于半导体基底的上表面且电性连接至功率晶体管组件的源极金属层以及一设于半导体基底的下表面的漏极金属层。位于第二组件区的源极金属层、电容介电层以及重掺杂区构成一缓冲电容。借此可提升功率半导体组件的输出电容值，以解决关闭时产生电压脉冲的问题。

主权项

一种具有可调输出电容值的功率半导体组件，其特征在于，包括，一半导体基底，具有一上表面与一下表面，其中该半导体基底的该上表面定义有一第一组件区以及一第二组件区；一功率晶体管组件，设于该第一组件区内；一重掺杂区，具有一第一导电类型，设于该第二组件区的该半导体基底内；一电容介电层，设于该重掺杂区上，且与该重掺杂区相接触；一源极金属层，设于该半导体基底的该上表面，且电性连接至该功率晶体管组件，其中位于该第二组件区的该源极金属层、该电容介电层以及该重掺杂区构成一缓冲电容；以及一漏极金属层，设于该半导体基底的该下表面。