发明名称 | 纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括:印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;保护层,至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及金属催化层,至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。本发明纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法中,在印章体上预先制备好了需要的纳米结构,通过金属催化腐蚀的手段可以直接将图形转移到衬底表面,图形化过程简单,无需附加掩模层,简化了纳米结构制备的工艺流程。 | ||
申请公布号 | CN103145092A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
申请号 | CN201310062552.0 | 申请日期 | 2013.02.28 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
主权项 | 一种纳米刻蚀印章,其特征在于,包括:印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;保护层,至少形成于所述印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及金属催化层,至少形成于所述反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |