发明名称 纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法
摘要 本发明提供了一种纳米刻蚀印章。该纳米刻蚀印章包括:印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;保护层,至少形成于印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及金属催化层,至少形成于反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。本发明纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法中,在印章体上预先制备好了需要的纳米结构,通过金属催化腐蚀的手段可以直接将图形转移到衬底表面,图形化过程简单,无需附加掩模层,简化了纳米结构制备的工艺流程。
申请公布号 CN103145092A 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN201310062552.0 申请日期 2013.02.28
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 裴为华;陈三元;归强;陈弘达
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 曹玲柱
主权项 一种纳米刻蚀印章,其特征在于,包括:印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;保护层,至少形成于所述印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及金属催化层,至少形成于所述反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。
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