发明名称 | 光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统 | ||
摘要 | 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。本发明的光电转换装置包括:被布置在基板上的多个光电转换元件;用于传送信号电荷的晶体管;和用于读出传送的信号电荷的多个晶体管。多个光电转换元件包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件。本发明的光电转换装置包括:被布置在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间的具有第一导电类型的第一半导体区域;和被布置在布置有多个晶体管的区域上并具有比第一导电类型的第一半导体区域的宽度大的宽度的具有第一导电类型的第二半导体区域。 | ||
申请公布号 | CN103151363A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
申请号 | CN201310059322.9 | 申请日期 | 2010.09.21 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 有岛优;川端康博;高田英明;酒井诚一郎;小泉彻 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 康建忠 |
主权项 | 一种光电转换装置,包括:具有第一导电类型的第一半导体区域;以及具有第二导电类型的第二半导体区域,所述第二半导体区域用于蓄积信号电荷,构成第一光电转换元件的一部分,被布置在所述第一半导体区域中;具有第二导电类型的第三半导体区域,所述第三半导体区域用于蓄积信号电荷,构成第二光电转换元件的一部分,被布置在所述第一半导体区域中;用于传送信号电荷的晶体管;用于读出传送的信号电荷的多个晶体管;具有第一导电类型的第四半导体区域,所述第四半导体区域被布置在第二半导体区域和第三半导体区域之间;以及具有第一导电类型的第五半导体区域,所述第五半导体区域具有比第四半导体区域的宽度大的宽度,其中,用于读出传送的信号电荷的所述多个晶体管被布置在所述第五半导体区域中。 | ||
地址 | 日本东京 |