发明名称 |
大气压化学气相淀积 |
摘要 |
一种用于在大气压下涂覆衬底的方法,该方法包含下列步骤:在加热的惰性气流中在基本上大气压下蒸发可控质量的半导体材料,以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物;在基本上大气压下将该流体混合物引导到具有低于该半导体材料凝结温度的温度的衬底上;并且在该衬底的表面上淀积一层该半导体材料。 |
申请公布号 |
CN101432457B |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN200580028242.0 |
申请日期 |
2005.08.02 |
申请人 |
卡利索有限责任公司 |
发明人 |
N·W·约翰斯顿 |
分类号 |
C23C14/06(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
温宏艳;赵苏林 |
主权项 |
一种用于在大气压下涂覆加热到低于半导体材料的凝结温度的温度的衬底的方法,该方法包含下列步骤:将可控质量的半导体材料和惰性气体流混合;蒸发在惰性气体流中的半导体材料,以产生具有高于该半导体材料凝结温度的温度的流体混合物;引导该流体混合物到衬底,其中所述衬底在基本上大气压下;和在该衬底的表面上淀积一层该半导体材料。 |
地址 |
德国比特费尔德-沃尔芬 |