半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种半导体结构，包括：Si晶圆；形成在所述Si晶圆之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层与所述Si晶圆之间间隔预定高度以使所述第一半导体薄层中的一部分相对于所述Si晶圆悬空。可采用本发明实施例形成的半导体薄层形成器件，由于半导体薄层相对于Si晶圆悬空，从而抑制泄漏电流，因此本发明实施例的半导体结构能够抑制泄漏电流的产生。该半导体薄层非常薄，通常小于10nm，因此可以用于制备超浅结。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：Si晶圆；形成在所述Si晶圆之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层中的一部分相对于所述Si晶圆悬空，其中，所述第一半导体薄层的厚度小于10nm，其中，所述第一半导体薄层通过对所述多个凸起结构退火形成，其中，所述退火温度为800‑1350度，且在退火时气氛中含有氢气。