| 发明名称 | 选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于自其上具有第一金属栅极材料(例如，氮化钛)及第二金属栅极材料(例如，氮化钽)的微电子装置，将第一金属栅极材料相对于第二金属栅极材料选择性地移除的移除组合物及方法。该移除组合物可包含氟化物或者实质上不含氟化物。该基板优选包括高k/金属栅极集成配置。 | ||
| 申请公布号 | CN103154321A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201180048783.5 | 申请日期 | 2011.10.06 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 陈天牛;尼科勒·E·托马斯;斯蒂芬·里皮;杰弗里·A·巴内斯;埃马纽尔·I·库珀;张鹏 |
| 分类号 | C23F1/02(2006.01)I;C23F1/44(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 刘慧;杨青 |
| 主权项 | 相对于至少第二金属栅极材料选择性地移除第一金属栅极材料的方法，该方法包括使包含该第一金属栅极材料及该第二金属栅极材料的基板与移除组合物接触，其中该移除组合物相对于该第二金属栅极材料选择性地移除该第一金属栅极材料。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||