一种具有复合势垒的氮化镓基发光二极管

摘要

本发明公开一种具有复合势垒的氮化镓基发光二级管，包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、缓冲层、n型氮化镓外延层、多量子阱有源区、p型铝镓氮外延层和p型氮化镓外延层，p型氮化镓外延层上表面设置p型金属电极，n型氮化镓层的下台面上设有n型电极，多量子阱有源区包括5~20个从下至上间隔排列的氮化铟镓势阱层，两相邻氮化铟镓势阱层之间设置有第一类复合势垒层，顶层的氮化铟镓势阱层的上表面设置有第二类复合势垒层，复合势垒中，氮化铝镓铟层与InGaN势阱层接触处，通过调节Al和In的组分减小极化效应产生的内建电场；AlInGaN层与GaN层接触界面上，调节Al与In的比值为0.83:0.17，使二者晶格匹配。

主权项

一种具有复合势垒的氮化镓基发光二极管，包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底（1）、缓冲层（2）、n型氮化镓外延层（3）、多量子阱有源区（5）、p型铝镓氮外延层（6）和p型氮化镓外延层（7），在所述p型氮化镓外延层（7）上表面设置有p型金属电极（8），所述n型氮化镓层（3）的上表面刻蚀出阶梯状台面，所述阶梯状台面包括一个上台面（31）和位于上台面（31）一侧的下台面（32），所述上台面（31）与多量子阱有源区（5）的底面连接，所述下台面（32）上设置有一个n型电极（4），其特征在于，所述多量子阱有源区（5）包括5~20个从下至上间隔排列的氮化铟镓势阱层（51），两相邻氮化铟镓势阱层（51）之间设置有由从下至上依次连接的第一氮化铝镓铟层（52）、氮化镓层（53）和第二氮化铝镓铟层（54）构成的第一类复合势垒层，顶层的氮化铟镓势阱层（51）的上表面设置有由从下至上连接的第一氮化铝镓铟层（52）和氮化镓层（53）构成的第二类复合势垒层。