氮化镓类半导体发光元件、光源和凹凸构造形成方法

摘要

本发明提供一种氮化镓类半导体发光元件，在进行对具有除c面外的结晶面的氮化物半导体发光元件的光提取面（50）的表面的润湿性进行控制的表面改性之后，在粒子层对表面进行覆盖。其后，通过进行蚀刻，将粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上且800nm以下的凹凸构造（60）形成在光提取面（50）。

主权项

一种氮化镓类半导体发光元件，其特征在于，具备：半导体层叠构造，其由氮化镓类半导体形成，包含生成偏振光的活性层；和与所述半导体层叠构造接触，将载流子注入所述活性层的电极构造，其中，所述半导体层叠构造在除c面外的结晶面的至少一部分具备形成有凹凸构造的光提取面，所述凹凸构造配置于所述结晶面上，具有相对于所述光提取面的法线方向非轴对称的形状的凸部，所述凹凸构造中的粗糙度曲线要素的平均长度（RSm）为150nm以上800nm以下。