纳米金属粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法

摘要

本发明属于LED芯片制备领域，其公开了一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，包括如下步骤：将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；将LED芯片放置在纳米颗粒浆料上，并且使LED芯片背面的金属层与纳米颗粒浆料充分接触；无氧气氛下，对步骤S1进行低温回流处理，实现LED芯片与金属热沉的金属界面连接。本发明采用微纳米金属颗粒浆料作为热界面材料，可以与现有的封装设备与生产线相匹配，也就是说可以直接取代现有的Sn基焊料，(SnPb焊料、SnAgCu焊料等)，在较低的温度下获得LED晶片与金属热沉的金属界面连接，可以有效地降低生产成本、提高生产效率。

主权项

一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；S2、将经扩晶处理的LED芯片放置在金属热沉上，并使芯片背面的金属层与纳米金属浆料充分接触。S3、无氧气氛下，对步骤S2进行低温回流处理，获得LED芯片与热沉的低热阻金属界面连接；