发明名称 半导体装置接合材料
摘要 本发明提供一种半导体装置,其将接合材料用于半导体装置的内部接合用,从而在基板安装时内部接合部不熔融,所述接合材料是由Sn或Sn系焊料合金填充到具有网眼结构的多孔金属体的空孔部分且覆盖其表面而得到的。
申请公布号 CN103153527A 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN201180048365.6 申请日期 2011.08.03
申请人 千住金属工业株式会社 发明人 坂本善次;山田博之;山中芳惠;大西司;吉川俊策;田所健三
分类号 B23K35/14(2006.01)I;B22F3/26(2006.01)I;B23K1/00(2006.01)I;B23K35/26(2006.01)I;B23K35/30(2006.01)I;B23K35/40(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C13/00(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I;B23K101/40(2006.01)I 主分类号 B23K35/14(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种焊料接合材料,其由具有网眼结构的多孔金属体、和填充于该多孔金属体的空孔部分并且覆盖了该多孔金属体表面的Sn或Sn系焊料合金构成,所述多孔金属体显示导电性。
地址 日本东京都