| 发明名称 | 基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构的换流单元 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种换流单元，包括IGBT模块和电容，所述IGBT模块包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块；所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块包括串联的焊接型IGBT串联及其相应的压接型二极管，一个IGBT的发射极与下一个IGBT的集电极通过低感导线相连接，压接型二极管反并联于其相应的焊接型IGBT的集电极和发射极之间；所述IGBT模块与所述电容并联。本发明提供的一种换流单元，包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块，在包含多个串联的换流单元的换流器中，故障的换流单元可以转化为短路失效模式，保证整个IGBT阀的安全工作。 | ||
| 申请公布号 | CN103151938A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201210001831.1 | 申请日期 | 2012.01.05 |
| 申请人 | 中国电力科学研究院 | 发明人 | 温家良;吴锐;韩健;陈中圆;蔚泉清;贾娜 |
| 分类号 | H02M7/00(2006.01)I;H01L25/03(2006.01)I | 主分类号 | H02M7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种换流单元，包括：IGBT模块和电容，其特征在于：所述IGBT模块包括基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块；所述基于焊接型IGBT与压接型二极管反并联串联结构模块包括串联的焊接型IGBT串联及其相应的压接型二极管，一个IGBT的发射极与下一个IGBT的集电极通过低感导线相连接，压接型二极管反并联于其相应的焊接型IGBT的集电极和发射极之间；所述IGBT模块与所述电容并联。 | ||
| 地址 | 100192 北京市海淀区清河小营东路15号 | ||