| 发明名称 | 半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种含有1种以上的无定形的金属氧化物、且在上述金属氧化物的至少一部分的金属原子上键合有OH基的半导体薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103155154A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201180048961.4 | 申请日期 | 2011.10.11 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 西村麻美;川岛绘美;笠见雅司;松浦正英;糸濑将之 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种半导体薄膜，其含有1种以上的无定形的金属氧化物，且在所述金属氧化物的至少一部分金属原子上键合有OH基。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||