| 发明名称 | 一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法 | ||
| 摘要 | 一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域，步骤为，（1）制备高密度碳化硅料块，（2）将步骤（1）的高密度碳化硅料块用垫块垫起，使料块与坩埚不相接触，并置于坩埚底部作为原料，（3）坩埚顶部放置籽晶，用物理气相传输法生长碳化硅单晶。本发明方法克服了料粉与坩埚直接接触的问题，变为坩埚内壁与“架空”料块之间的辐射传热，所生长的单晶均匀、对称，其中的杂质含量大大降低。 | ||
| 申请公布号 | CN102021653B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201010615255.0 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 北京华进创威电子有限公司 | 发明人 | 何丽娟;吴星;倪代秦;李海飞;赵岩 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人 | 张飙 |
| 主权项 | 一种用高密度料块生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：步骤为，(1)制备高密度碳化硅料块，(2)将步骤(1)的高密度碳化硅料块用垫块垫起，使料块与坩埚不相接触，并置于坩埚底部作为原料，(3)坩埚顶部放置籽晶，用物理气相传输法生长碳化硅单晶；其中，所述高密度碳化硅料块是碳化硅单晶块、多晶烧结块或压结块，其体积密度为1.5‑3.2g/cm3；所述垫块是石墨材质，所述垫块的高度根据坩埚深度、料块高度、料面和籽晶间距来调整，范围在5mm‑60mm之间。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区经海三路17号 | ||