| 发明名称 | SnO<sub>2</sub>系溅射靶和溅射膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了抗折强度优异、且基本上没有凝聚相的SnO2系溅射靶，该SnO2系溅射靶可得到减少溅射中的异常放电、同时无需加热处理即可具有低的膜比电阻、且之后的由加热处理引起的比电阻变化小、耐热性优异的溅射膜。本发明的SnO2系溅射靶包含含有1.5-3.5质量％Ta2O5、0.25-2质量％Nb2O5、余量的SnO2以及不可避免的杂质的烧结体。 | ||
| 申请公布号 | CN101542009B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN200880000093.0 | 申请日期 | 2008.03.24 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 森中泰三 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 熊玉兰;孙秀武 |
| 主权项 | SnO2系溅射靶，该溅射靶包含含有1.5‑3.0质量％Ta2O5、0.25‑0.75质量％Nb2O5、余量的SnO2以及不可避免的杂质的烧结体，其中该溅射靶用于制备比电阻低于9mΩ·cm的溅射膜，上述比电阻无需经由热处理而被实现。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||