高速电调控太赫兹调制器

摘要

本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板(4)，所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料，且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构(2)，所述频率选择表面结构是具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极(b)、漏极(c)和栅极(a)；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在1500cm2/Vs以上。本发明实现了以电调制方式对太赫兹波幅值的高速调制效应，调制速度可大于10MHz，相对调制深度大于50％。

主权项

一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板（4），所述介质基板（4）由对太赫兹波透明的材料形成，其特征在于：所述介质基板表面分布由复数个高电子迁移率晶体管（3）形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构（2），所述频率选择表面结构包括具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极（b）、漏极（c）和栅极（a）；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在1500 cm2/Vs以上；所述高速电调控太赫兹调制器的调制速度达到10MHz以上。