| 发明名称 | 基于FINFET的一次可编程器件 | ||
| 摘要 | 根据一个实施方式，提供了一种基于FINFET的一次可编程器件。该一次可编程（OTP）器件包括与传感FinFET平行的存储FinFET。存储FinFET和传感FinFET共享公共源极区、公共漏极区和公共沟道区。存储FinFET通过具有断裂的栅极电介质而被编程，导致传感FinFET具有改变的阈值电压和改变的漏极电流。 | ||
| 申请公布号 | CN202996838U | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201220426708.X | 申请日期 | 2012.08.24 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 夏维;陈向东 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;G11C17/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种基于FinFET的一次可编程器件，包括： 传感FinFET；以及 存储FinFET，与传感FinFET平行，其中，所述存储FinFET和所述传感FinFET共享公共源极区、公共漏极区和公共沟道区， 其中，所述存储FinFET具有断裂的栅极电介质。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||