| 发明名称 | 一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于光致发光半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法。本发明利用强流脉冲电子束制备硅基纳米量子点纳米材料，随后对不同参数下硅纳米量子点纳米材料进行光致发光特性PL测定，实验发现，经过HCPEB辐照制备出硅基纳米量子点纳米材料，并且所述纳米材料能够发出强度较高的蓝光。 | ||
| 申请公布号 | CN103146379A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310096948.7 | 申请日期 | 2013.03.25 |
| 申请人 | 江苏大学 | 发明人 | 关庆丰;吕鹏;王晓彤;张在强;李艳;杨盛志;侯秀丽 |
| 分类号 | C09K11/59(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C09K11/59(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法，其特征在于：利用强流脉冲电子束辐照单晶硅片制备硅基纳米量子点纳米材料，所述纳米材料能够发出蓝光。 | ||
| 地址 | 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 | ||