半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种垂直GaN基半导体器件，其中能够借助p型GaN势垒层提高耐受性能，同时也降低导通电阻。该半导体器件特征在于包括：再生长层（27），其包括位于开口（28）的壁表面上的沟道；p型势垒层（6），其具有被覆盖的端面；源层（7），其与p型势垒层接触；栅电极（G），其位于再生长层上；和源电极（S），其位于开口周围。其中，源层具有超晶格结构，该超晶格结构由层叠组成，该层叠包括：第一层（a层），其具有比p型势垒层的晶格常数小的晶格常数；和第二层（b层），其具有比第一层的晶格常数大的晶格常数。

主权项

一种垂直半导体器件，包括具有开口的III族氮化物基堆叠层，所述半导体器件包括：再生长层，所述再生长层包括沟道，所述沟道被定位为覆盖所述开口的壁表面；p型III族氮化物基半导体层，所述p型III族氮化物基半导体层具有在所述开口的所述壁表面处被所述再生长层覆盖的端面；III族氮化物基源层，所述III族氮化物基源层用作所述III族氮化物基堆叠层的顶层，并且位于所述p型III族氮化物基半导体层上；栅电极，所述栅电极位于所述开口中的所述再生长层上；和源电极，所述源电极位于所述开口周围的所述III族氮化物基堆叠层上，以便与所述再生长层和所述III族氮化物基源层接触，其中所述再生长层包括电子漂移层和电子源层，并且所述沟道由在所述电子漂移层和所述电子源层之间的界面附近的位置处的所述电子漂移层中产生的二维电子气形成，并且所述III族氮化物基源层具有超晶格结构，所述超晶格结构由堆叠层组成，所述堆叠层包括：第一层，所述第一层具有比所述p型III族氮化物基半导体层的晶格常数小的晶格常数；和第二层，所述第二层具有比所述第一层的晶格常数大的晶格常数。