发明名称 |
成膜装置和成膜方法 |
摘要 |
一种形成具有充分的阻气性且具有耐屈曲性的阻气性层叠膜的成膜装置。该成膜装置具有如下:真空室,其在内部收容基材;气体供给装置,其向该真空室内供给成膜气体,该成膜气体包含作为薄膜的原料的有机金属化合物和与该有机金属化合物发生反应的反应气体;一对电极,其配置在上述真空室内;等离子体发生用电源,其向这一对电极外加交流电力,使成膜气体的等离子体发生;控制部,其控制上述气体供给装置或上述等离子体发生用电源的任意一方或两方,切换第一反应条件和第二反应条件,所述第一反应条件是,通过所述有机金属化合物和反应气体反应,使含形成有机金属化合物的金属元素或半金属元素且不含碳的化合物生成,所述第二反应条件是,通过所述有机金属化合物和所述反应气体发生反应,使含形成有机金属化合物的碳和金属元素或半金属元素的含碳化合物生成。 |
申请公布号 |
CN103154313A |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201180048181.X |
申请日期 |
2011.10.05 |
申请人 |
住友化学株式会社 |
发明人 |
长谷川彰;黑田俊也;真田隆 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
龚敏 |
主权项 |
一种成膜装置,其在基材上形成薄膜,其中,所述成膜装置具有:真空室,其在内部收容所述基材;气体供给装置,其向所述真空室内供给成膜气体,该成膜气体含有作为所述薄膜的原料的有机金属化合物、和与该有机金属化合物发生反应的反应气体;一对电极,其配置在所述真空室内;等离子体发生用电源,其向所述一对电极外加交流电力,使所述成膜气体的等离子体发生;控制部,其控制所述气体供给装置及所述等离子体发生用电源的任意一方或两方,切换第一反应条件和第二反应条件,所述第一反应条件是,通过所述有机金属化合物和所述反应气体发生反应、而使含形成所述有机金属化合物的金属元素或半金属元素且不含碳的化合物生成的条件,所述第二反应条件是,通过所述有机金属化合物和所述反应气体发生反应,而使含形成所述有机金属化合物的碳、和金属元素或半金属元素的含碳化合物生成的条件。 |
地址 |
日本国东京都 |