后钝化互连结构

摘要

本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括设置半导体衬底上的钝化层以及设置钝化层上的互连结构。该互连结构包括相互电分离的接合焊盘区域和伪区域。保护层设置在该互连结构的上面并且包括暴露接合焊盘区域的一部分的第一开口以及暴露伪区域的一部分的第二开口。金属层形成在接合焊盘区域的所暴露部分和伪区域的所暴露部分上。凸块形成在位于接合焊盘区域上面的金属层上。本发明还公开了后钝化互连结构。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；钝化层，设置在所述半导体衬底上面；互连结构，设置在所述钝化层上面，所述互连结构包括相互电分离的接合焊盘区域和伪区域；保护层，设置在所述互连结构上面，所述保护层包括暴露所述接合焊盘区域的一部分的第一开口以及暴露所述伪区域的一部分的第二开口；金属层，形成在所述接合焊盘区域的所暴露部分上以及所述伪区域的所暴露部分上；以及凸块，形成在位于所述接合焊盘区域上面的所述金属层上。