干蚀刻方法

摘要

从图1(a)所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有HBr的气体，例如HBr+Cl2的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图1(b)所示，在露出硅氧化膜层(102)之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有HBr的气体，例如单一的HBr气体，在比第一压力高的第二压力下，进行过蚀刻工序，如图1(c)所示，完全露出硅氧化膜层(102)。这样，与现有技术比较，能够提高含硅的导电膜层对硅氧化膜的选择比，能够不蚀刻作为基层的硅氧化膜层，而且不扰乱含硅的导电膜层的蚀刻形状，能够确实地仅蚀刻除去希望的含硅的导电膜层。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于：包括用于收容被处理基板，实施等离子体处理的真空腔；向所述真空腔内供给规定的处理气体的处理气体供给源；设置在所述真空腔内，载置所述被处理基板的下部电极，所述下部电极具有用于静电吸附所述被处理基板的静电卡盘；设置在所述真空腔内，与所述下部电极相对的上部电极；向所述上部电极供给第一高频电力的第一高频电源；向所述下部电极供给第二高频电力的第二高频电源；向所述上部电极施加直流电压的直流电源；和控制装置，以如下方式进行控制：开始由所述直流电源向所述上部电极施加直流电压之后，开始从所述第一高频电源向所述上部电极供给所述第一高频电力，之后，由所述第二高频电源向所述下部电极供给所述第二高频电力，进行等离子体点火，并且，在进行等离子体点火之后，进行对所述静电卡盘的直流电压的供给。