| 主权项 |
一种带隙基准电路，包括放大器，所述放大器具有反相输入端和同相输入端且在其输出端提供电压基准，所述电路包括：a.耦接到所述放大器的同相输入端的第一对晶体管，所述第一对晶体管包括所述电路的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的基极耦接在一起，所述第一晶体管还经由反馈电阻器耦接到所述放大器的输出端，所述第二晶体管被提供成二极管配置，b.第二对晶体管，所述第二对晶体管包括所述电路的第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管耦接到所述放大器的反相输入端，所述第三晶体管和所述第四晶体管的发射极经由基准电阻器而接地，所述第四晶体管被提供成二极管配置并经由耦接电阻器耦接到所述第二晶体管，以及c.分流器，所述分流器被设置成从所述第一晶体管分流走反馈电流的至少一部分，以实现所述第一晶体管和所述第三晶体管的集电极和基极电流的减小，从而减小低频带噪声对一阶温度不敏感电压的影响，其中所述第三晶体管的基极耦接到耦接在一起的所述第一晶体管和所述第二晶体管，所述第三晶体管的集电极耦接到所述第一晶体管的集电极使得所述第一晶体管和所述第三晶体管形成所述放大器的前置放大器，以及进一步，所述第一晶体管和所述第四晶体管的发射极面积被调节为比所述第二晶体管和所述第三晶体管的发射极面积更大，使得分别在所述耦接电阻器和所述反馈电阻器两端产生两个基极‑发射极电压差，所述基极‑发射极电压差为正比于绝对温度(PTAT)的电压的形式，所生成的正比于绝对温度的电流在所述基准电阻器两端产生正比于绝对温度的电压，所述正比于绝对温度的电压结合被组合的所述第二晶体管和所述第三晶体管的基极‑发射极电压，被反映在所述放大器的输出端，作为所述一阶温度不敏感电压，以及进一步，所述电路包括设置在所述同相输入端和地之间的滤波器，用来将高频带噪声对所述温度不敏感电压的影响最小化。 |
