| 发明名称 | 采用选择性制造的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 在一些方面，提供了制造存储器单元的方法，包括：在衬底上制造操纵元件；以及通过在所述衬底上沉积硅-锗层来制造碳纳米管(“CNT”)籽晶层、构图并蚀刻CNT籽晶层、以及在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料，来制造与所述操纵元件耦接的可逆电阻切换元件。提供了许多其他方面。 | ||
| 申请公布号 | CN102047421B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN200980120069.5 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | 阿普里尔·D·施里克 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L27/102(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种制造存储器单元的方法，该方法包括：在衬底上制造操纵元件；以及通过以下步骤制造与所述操纵元件耦接的可逆电阻切换元件：通过在所述衬底上沉积硅‑锗层来制造碳纳米管籽晶层；构图并蚀刻碳纳米管籽晶层；以及在碳纳米管籽晶层上选择性地制造碳纳米管材料，其中所述操纵元件通过选择性地限制跨可逆电阻切换元件的电压和/或者流经其的电流而呈现出非欧姆导电性。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||