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一种使用湿法刻蚀制备超级结器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在硅基板上成长外延层；步骤二，在硅片的正面和背面同时形成介质膜；步骤三，正面用光刻胶定义图形，用干法刻蚀的方法打开介质膜；步骤四，去除光刻胶，利用介质膜作为掩膜层，使用湿法各向异性刻蚀形成垂直的深沟槽结构；步骤五，清洗后在深沟槽内填充成长与步骤一的外延层类型相反的外延层，以形成交替排列的P型和N型的结构；步骤六，使用化学机械抛光的方法进行平坦化处理，停在介质膜上；步骤七，利用湿法刻蚀去除正反面的介质膜，即可形成P型和N型交替排列的结构；步骤八，后续工艺采用成熟的纵向双扩散金属氧化物半导体即可制备完整的超级结器件，后续工艺包括如下步骤：A.使用离子注入的方式分别在特定图形部分形成P阱区、N+阱区和P+源区；B.使用扩散方式形成栅氧，再使用低压化学气相沉积法淀积多晶硅，并进行干法刻蚀，在特定图形部分形成多晶硅栅电极；C.使用低压化学气相沉积法、常压化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法形成层间介质膜，层间介质膜的种类是氧化膜，随后进行干法刻蚀，形成多晶硅和金属电极的层间隔离以及源区和金属电极的接触孔；D.在硅片正面采用溅射物理气相沉积法形成正面源金属电极；E.在硅片背面采用蒸发物理气相沉积法形成背面漏金属电极。 |
