多路振荡回路的控制方法及具有多路振荡回路的镇流器

摘要

本发明适用于镇流器领域，提供了一种多路振荡回路的控制方法及具有多路振荡回路的镇流器；多路振荡回路的控制方法包括下述步骤：输出N路PWM控制信号分别控制N路振荡回路；每两路相邻PWM控制信号之间的相位差为2π/N；所述N为大于或等于2的正整数。本发明提供的多路振荡回路的控制方法通过调整PWM控制信号的相位，使得每两路相邻PWM控制信号之间的相位差为2π/N；进而使得各路振荡回路中产生的电磁干扰波矢量叠加；从而减小了电磁干扰，减小了谐波电流，延长了元器件的使用寿命；提高了镇流器的电气性能。

主权项

一种具有多路振荡回路的镇流器，其特征在于，所述镇流器包括：控制模块以及连接至所述控制模块的输出端的N路振荡回路；所述控制模块输出N路PWM控制信号分别控制所述N路振荡回路；每两路相邻PWM控制信号之间的相位差为2π/N；所述N为大于或等于2的正整数；所述镇流器中，一路振荡回路包括：半桥驱动模块、二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一MOS管、第二MOS管以及电感；所述半桥驱动模块的电源端连接至所述控制模块的第一输出端，所述半桥驱动模块的高端输入端连接至所述控制模块的第二输出端，所述半桥驱动模块的低端输入端连接至第一电源的输出，所述半桥驱动模块的低端输入端还通过所述第二电容接地；所述半桥驱动模块的低端反馈端接地；所述第一MOS管的栅极通过所述第一电阻连接至所述半桥驱动模块的高端栅极驱动输出端，所述第一MOS管的栅极还通过所述第二电阻连接至所述半桥驱动模块的高端浮动电源反馈端，所述第一MOS管的源极连接至所述第二MOS管的漏极，所述第一MOS管的漏极连接第二电源，所述第二MOS管的栅极通过所述第三电阻连接至所述半桥驱动模块的低端栅极驱动输出端，所述第二MOS管的栅极还通过所述第四电阻接地，所述第二MOS管的源极接地；所述二极管的阳极连接至第一电源，所述二极管的阴极通过所述第一电容连接至所述半桥驱动模块的高端浮动电源反馈端；所述二极管与所述第一电容的连接端还连接至所述半桥驱动模块的高端浮动电源端；所述电感的一端连接至所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接的连接端；所述电感的一端还与所述半桥驱动模块的高端浮动电源反馈端连接，所述电感的另一端通过依次串联连接的第三电容、第四电容接地，所述第三电容与所述第四电容的串联连接端与地端分别连接至荧光灯的两端。