| 发明名称 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置，包括：在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；在形成有所述公共电极层和像素电极层的基板上，依次制作有源层、源/漏电极层和钝化层。使用本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置，可以确保阵列基板上薄膜晶体管的阈值电压的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN102629589B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201110445065.3 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 金原奭;金永珉 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 李娟 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；在形成有所述公共电极层和像素电极层的基板上，依次制作有源层、源/漏电极层和钝化层；其中，所述在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层，包括：在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，形成公共电极层并通过构图工艺形成公共电极的图案；在所述公共电极层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上，形成像素电极层并通过构图工艺形成像素电极的图案。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||