| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供层间介质层，位于所述层间介质层表面的金属层、位于所述金属层表面的刻蚀阻挡层，以及贯穿所述刻蚀阻挡层和金属层的第一开口，所述第一开口暴露出层间介质层；在所述第一开口侧壁形成覆盖金属层的保护层；形成所述保护层后，刻蚀部分厚度的所述层间介质层，形成第二开口；填充满所述第二开口形成隔离层，所述隔离层内具有空气隙。形成的半导体器件的性能更稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103151301A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310058916.8 | 申请日期 | 2013.02.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘张李;李乐 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/764(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供层间介质层，位于所述层间介质层表面的金属层、位于所述金属层表面的刻蚀阻挡层，以及贯穿所述刻蚀阻挡层和金属层的第一开口，所述第一开口暴露出层间介质层；在所述第一开口侧壁形成覆盖金属层的保护层；形成所述保护层后，刻蚀部分厚度的所述层间介质层，形成第二开口；填充满所述第二开口形成隔离层，所述隔离层内具有空气隙。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||