| 发明名称 | 电能存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种小型且大容量，可以得到大电能的电能存储装置。本发明的电能存储装置（1）具有第一电极（4）、介电层（6）、第二电极（7），在第一电极（4）和介电层（6）之间以及第二电极（7）和介电层（6）之间，形成有由金属、半导体或表面改性陶瓷等集电体的微粒（5a）构成的集电子体层（6）。 | ||
| 申请公布号 | CN103155063A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201080067346.3 | 申请日期 | 2010.06.25 |
| 申请人 | 日本硅电子技术株式会社;ENZO设计株式会社;高梨一彦;清水干治 | 发明人 | 清水干治 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞盟知识产权代理有限公司 11300 | 代理人 | 刘昕 |
| 主权项 | 一种电能存储装置，其特征在于，具有：由导电性材料形成的第一电极；由导电性材料形成，且与所述第一电极相向设置的第二电极；和夹持于所述第一电极和所述第二电极的介电层，在所述第一电极和所述介电层之间以及所述第二电极和所述介电层之间，形成有由金属微粒等构成的集电子体层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都涩谷区神宫前5-18-8 | ||