低1c螺旋位错3英寸碳化硅晶片

摘要

本发明公开了一种直径至少约3英寸和1c螺旋位错密度小于约2000cm-2的高质量SiC单晶晶片。

主权项

一种SiC晶体晶片，具有至少3英寸直径和小于2500cm‑2的1c螺旋位错密度，由计数晶片表面上1c螺旋位错总数测定，所述SiC晶体通过包括如下步骤的方法制备：退火籽晶固定器；将单晶碳化硅籽晶置于接受器中的籽晶固定器，同时对所述碳化硅籽晶施加最小扭转力以防止扭转力弄歪或弄弯所述碳化硅籽晶；将碳化硅源材料置于所述接受器的下部；并且加热接受器以升华碳化硅源材料并在源材料和所述碳化硅籽晶之间产生热梯度来促进源材料气相运动和源材料在所述籽晶上冷凝来制造单晶SiC晶锭。