发明名称 |
显示设备和制造显示设备的方法 |
摘要 |
根据本发明的一个特征,根据以下步骤制造显示设备:形成半导体层;在半导体层上形成栅绝缘层;在栅绝缘层上形成栅电极层;形成与半导体层接触的源电极层和漏电极层;形成电连接到源电极层或漏电极层的第一电极层;在第一电极层的一部分,栅电极层,源电极层和漏电极层上形成无机绝缘层;使该无机绝缘层和第一电极层进行等离子体处理;在已进行等离子体处理的无机绝缘层和第一电极层上形成电致发光层;和在电致发光层上形成第二电极层。 |
申请公布号 |
CN101673760B |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN200910179076.4 |
申请日期 |
2006.08.11 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
须泽英臣;山崎舜平 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H05B33/12(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;H05B33/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
任宗华 |
主权项 |
发光显示设备,它包括:形成在基材上的薄膜晶体管;在薄膜晶体管上的中间层绝缘膜;形成在中间层绝缘膜上的布线,其中布线电连接到薄膜晶体管上;形成在布线上的第一电极,其中第一电极电连接到布线上;形成在第一电极上的无机绝缘膜,其中无机绝缘膜具有到达第一电极的开口;通过进行等离子体处理形成在无机绝缘膜的开口处的圆角,其中所述等离子体处理是用1×1011cm‑3到1×1013cm‑3的电子密度和0.5eV到1.5eV的等离子体电子温度在氮或氧气氛中来进行的;在无机绝缘膜上的电致发光层;和形成在电致发光层上的第二电极。 |
地址 |
日本神奈川 |