发明名称 |
布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性,从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种布线基板,其特征在于,包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜,上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合,在通式(1)中,X=2Y,X表示1以上的整数。Si-CXHY-Si……通式(1)。 |
申请公布号 |
CN101960582B |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN200880127868.0 |
申请日期 |
2008.03.24 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
尾崎史朗;中田义弘;今田忠纮;小林靖志 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
菅兴成;吴小瑛 |
主权项 |
一种布线基板,其特征在于,具有由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于该第一绝缘膜上的粘附强化层和形成于该粘附强化层上并由硅化合物构成的第二绝缘膜;所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜是通过具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合,Si‑CXHY‑Si……通式(1)在上述通式(1)中,X=2Y,X表示1以上的整数。 |
地址 |
日本国神奈川县 |