发明名称 |
基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法,用CMOS晶体管的多晶硅栅极作为PIP电容的下极板,用进行SiGeHBT工艺前为保护CMOS晶体管部分所淀积的介质层作为PIP电容的介质,用SiGe基极多晶硅层作为PIP电容的上极板;用SiGe基极多晶硅层作为另一PIP电容的下极板,用发射极-基极隔离介质层作为另一PIP电容的介质,利用发射极多晶硅层作为另一PIP电容的上极板;将前面所形成的两个PIP电容进行并联得到第三个PIP电容。本发明利用BiCMOS工艺中现有的多种多晶硅层和多种介质层,在不增加额外步骤和成本的基础上,提供多种PIP电容,供设计选择。 |
申请公布号 |
CN102117780B |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201010027231.3 |
申请日期 |
2010.01.06 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈帆;张海芳;徐炯 |
分类号 |
H01L21/8249(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8249(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
戴广志 |
主权项 |
一种基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法,其特征在于:用CMOS晶体管的多晶硅栅极作为PIP电容的下极板,用进行SiGe异质结晶体管工艺前为保护CMOS晶体管部分所淀积的介质层作为PIP电容的介质,用SiGe基极多晶硅层作为PIP电容的上极板;用SiGe基极多晶硅层作为另一PIP电容的下极板,用发射极‑基极隔离介质层作为另一PIP电容的介质,利用发射极多晶硅层作为另一PIP电容的上极板;用CMOS晶体管的多晶硅栅极作为第三个PIP电容的下极板,用SiGe基极多晶硅层作为电容的中间基板,利用发射极多晶硅层作为第三个PIP电容的上极板;即将前面所形成的两个PIP电容进行并联得到第三个PIP电容。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |