测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法

摘要

本发明涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，其特征在于在三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），在三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52），打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。本发明三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的方法。

主权项

一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，所述方法是在三极管芯片（1）正面的基区（2）扎一根基区输入电流探针（21）与一根基区反馈电压探针（22），所述基区输入电流探针（21）与基区反馈电压探针（22）分别连接测试仪的基区输入电流线（23）和基区反馈电压线（24）；在三极管芯片（1）正面的发射区（3）扎一根发射区输入电流探针（31）与一根发射区反馈电压探针（32），所述发射区输入电流探针（31）与发射区反馈电压探针（32）分别连接测试仪的发射区输入电流线（33）和发射区反馈电压线（34）；其特征在于在三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），在三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52），打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。