TFT-LCD阵列基板制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，涉及TFT-LCD技术领域。该方法包括步骤：S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极，沉积栅电极绝缘层、有源层、及金属层，去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；S2.对要形成数据线以及源漏电极处以外的有源层以及光刻胶同时进行有源层刻蚀和光刻胶灰化；S3.进行第二次湿法刻蚀或干刻，形成所需要的沟道及源漏电极；S4.通过N+刻蚀，形成所需要的沟道；S5.形成漏电极部分的钝化层过孔，形成像素电极，并使所述像素电极和漏电极连接。按照本发明的方法制造的阵列基板数据线下方的有源层残留宽度小，且制造工艺时间短，可在提高产能的同时提高产品品质。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板制造方法，其特征在于，该方法包括步骤：S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极之后，连续沉积栅电极绝缘层、有源层、以及金属层，使用灰度掩模板或半色调掩模板曝光、显影后去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；S2.对要形成数据线以及源漏电极处以外的有源层以及光刻胶同时进行有源层部分刻蚀和光刻胶灰化，显露出沟道内的金属层；S3.进行第二次湿法刻蚀或干刻，去除沟道内的金属层，形成所需要的沟道及源漏电极；S4.通过N+刻蚀，去除沟道内的部分有源层，形成所需要的沟道；S5.在完成步骤S4的基板上形成漏电极部分的钝化层过孔，沉积透明像素电极层，形成像素电极，并使所述像素电极和漏电极连接。