矽晶圆及其制造方法

摘要

本发明提供一种可以在元件制造过程中同时抑制滑移位错和翘曲的产生的矽晶圆及其制造方法。;根据本发明的矽晶圆为一含有具八面体形状之BMD之矽晶圆，位于距离该矽晶圆表面20微米或更浅之深度的位置处且对角线长度为200奈米或以上的BMD的浓度为2×109/立方公分或以下，而位于比50微米的深度更深的位置处且对角线长度为10奈米或以上至50奈米或以下的BMD的浓度为1×1012/立方公分或以上。