发明名称 晶片、堆叠结构及半导体装置
摘要 本发明揭示一种晶片,包括:位于一基底下方的一密封环结构。密封环结构围绕至少一基底区。至少一装置实质防止离子扩散进入基底区,且耦接至密封环结构。
申请公布号 TWI398941 申请公布日期 2013.06.11
申请号 TW098145263 申请日期 2009.12.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 陈宪伟;郑心圃;涂宏荣;邱文智
分类号 H01L23/58;H01L25/04;H01L23/538 主分类号 H01L23/58
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号