具有单端感测放大器之半导体装置

摘要

在防止晶片尺寸增大且抑制了功耗增大的同时，来对MOS电晶体的温度相依性进行补偿。该半导体装置具有DRAM单元，DRAM单元由资讯电荷累积电容器及记忆体单元选择电晶体所构成，监控构成感测电路的MOS电晶体的阈值电压值，并且藉由利用以下转换率来转换MOS电晶体的被监控的阈值电压值，其中，转换率是基于资讯电荷累积电容器的电容和位元线的寄生电容来确定的。将被转换的电压值位准偏移，使得预充电电路的预充电电压为预设值电压，对于位准偏移的电压值增加供电能力，并且将电压作为预充电电压来提供。