由单晶矽所构成之半导体晶圆及其制造方法

摘要

本发明系关于一种由单晶矽所构成之半导体晶圆，其系经氮掺杂。该半导体晶圆包含一OSF区域及一Pv区域，其中，该OSF区域系自该半导体晶圆之中心朝该半导体晶圆之边缘的方向，延伸至该Pv区域；该半导体晶圆之OSF密度系小于10/平方公分，一至少3.5×108/立方公分之块体内BMD密度，该BMD密度之一径向分布，其具有一不大于3之由BMDmax/BMDmin比例所表示之波动范围，其中BMDmax及BMDmin分别代表最大与最小之BMD密度。本发明系同时关于一种制造此类半导体晶圆之方法。