| 摘要 |
一种正型光阻材料，其为含有(A)基于酸之作用而形成对硷显影液为可溶之树脂成份，与(B)感应活性光线或放射线而发生酸之化合物，其中，树脂成份(A)为具有下述通式(1)所表示之重复单位的高分子化合物，且，发生酸之化合物(B)为下述通式(2)所表示之鋶盐化合物之正型光阻材料。;(1a) (2a) (3a) (4a) (1);(R1为H或甲基；R2为含氟取代基；n为1或2；a、b、c、d分别为0.01以上，未达1之数，a＋b＋c＋d＝1。) (2);(R3、R4、R5为H，或可含有杂原子之1价烃基。R6为可含有杂原子之1价烃基。);本发明之光阻材料，可提供于微细加工技术，特别是于ArF微影蚀刻技术中具有极高之解析性，且具有良好之之光罩忠实性，特别是提供具有较小线路侧壁不均(LER；Line Edge Roughness)之图型。 |
