| 发明名称 |
含矽之膜形成用材料，含矽之绝缘膜及其形成方法 |
| 摘要 |
本发明的含矽之膜形成用材料，系含有下述一般式(1)所示之至少1种有机矽烷化合物。;[化1];……(1);(式中，R1~R6系指相同或互异的氢原子、碳数1~4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙醯氧基、苯氧基、或烷氧基，且R1~R6中至少一者系卤原子、羟基、乙醯氧基、苯氧基、或烷氧基；n系指0~3的整数。) |
| 申请公布号 |
TWI398446 |
申请公布日期 |
2013.06.11 |
| 申请号 |
TW097105118 |
申请日期 |
2008.02.14 |
| 申请人 |
ＪＳＲ股份有限公司 日本 |
发明人 |
中川恭志;野边洋平;加藤仁史;石附健二;小久保辉一 |
| 分类号 |
C07F7/18;C07F7/08;C23C16/42;H01L21/312 |
主分类号 |
C07F7/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
