HIGH-VOLTAGE TRENCH JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE

摘要

Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, die ein n+-Substrat, eine n-Epischicht, mindestens zwei in die n-Epischicht eingebrachte p-dotierte Gräben, Mesabereiche zwischen benachbarten Gräben, eine als Kathodenelektrode dienende Metallschicht und eine als Anodenelektrode dienende weitere Metallschicht aufweist. Die Dicke der Epischicht ist größer als das Vierfache der Tiefe der Gräben.