Transistoren mit einer Gate-Isolationsschicht mit einer Kanalverarmungsgrenzschichtladung und diesbezügliches Herstellungsverfahren

摘要

Ein Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MISFET) umfasst eine SiC-Schicht mit Source- und Drain-Bereichen eines ersten Leitungstyps, welche darin voneinander beabstandet vorgesehen sind. Eine erste Gate-Isolationsschicht ist auf der SiC-Schicht vorgesehen und hat eine Nettoladung entlang einer Grenzfläche mit der SiC-Schicht, welche dieselbe Polarität aufweist wie Majoritätsladungsträger des Source-Bereichs. Ein Gate-Kontakt ist auf der ersten Gate-Isolationsschicht über einem Kanalbereich der SiC-Schicht zwischen den Source- und Drain-Bereichen vorgesehen. Die Nettoladung entlang der Grenzfläche zwischen der ersten Gate-Isolationsschicht und der SiC-Schicht kann Majoritätsladungsträger von einem angrenzenden Bereich des Kanalbereichs zwischen den Source- und Drain-Bereichen in der SiC-Schicht verarmen, was die Schwellspannung des MISFET und/oder die Elektronenmobilität darin erhöhen kann.