Hochdichte Halbleiterspeichervorrichtung

摘要

Es wird eine hochdichte Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt. Die Vorrichtung kann einen Zellmatrixbereich einschließen, welcher eine untere Struktur (100), eine obere Struktur (300) und einer Auswahlstruktur (200) aufweist, wobei die Auswahlstruktur (200) zwischen der unteren (100) und oberen Struktur (300) angeordnet ist und Wortleitungen (WL) und eine Decoderschaltung (DCR) aufweist, welche Spannungen steuert, die an die Wortleitungen (WL) angelegt werden. Die Decoderschaltung (DCR) kann konfiguriert sein, in Antwort auf eine darin eingegebene Wortleitungs-Adressinformation (iADD) eine erste Spannung (V1) an ein Paar von einander benachbarten Wortleitungen (WL) anzulegen und eine zweite Spannung (V2), die sich von der ersten Spannung (V1) unterscheidet, an die verbleibenden der Wortleitungen (WL) anzulegen.