FINFET MIT VERBESSERTER GATE-PLANARITÄT

摘要

Es wird ein FinFET mit verbesserter Gate-Planarität und ein Herstellungsverfahren offenbart. Die Gate-Zone ist vor dem Entfernen jeglicher unerwünschter Finnen auf einer Struktur von Finnen angeordnet. Es können lithographische Techniken oder Ätztechniken oder eine Kombination von beiden angewendet werden, um die unerwünschten Finnen zu entfernen. Alle oder einige der verbleibenden Finnen können vereinigt werden.