| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen eines Element-Wafers (2, 202), wobei die Elemente (20) des Element-Wafers jeweils eine Dünnschichtstruktur (28) aufweisen, die einen Trägerabschnitt und einen schwebenden Abschnitt umfasst, wobei der schwebende Abschnitt durch den Trägerabschnitt getragen und beweglich ist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Vorbereiten eines Halbleiter-Wafers (21); Aufbringen einer Isolierschicht (22, 27) auf den Halbleiter-Wafer (21); Aufbringen einer leitenden Schicht (25) auf die Isolierschicht (22, 27), wobei die leitende Schicht (25) so bereitgestellt und verarbeitet wird, dass sie die Dünnschichtstruktur (28) der jeweiligen Elemente (20) in einem Mittelgebiet (6) des Element-Wafers (2, 202) ausbildet; und Ausbilden eines vertieften Abschnitts (10) und/oder mehrerer Öffnungen (70) in der Isolierschicht (22, 27), wobei der vertiefte Abschnitt (10) und die Öffnungen (70) außerhalb des Mittelgebiets (6) angeordnet sind und das Mittelgebiet (6) umgeben, und wobei der vertiefte Abschnitt (10) und/oder die mehreren Öffnungen (70) ausgebildet wird/werden, bevor die leitende Schicht (25) aufgebracht wird.
|
