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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit gedünntem Substrat, bei dem–ein Hilfsträger (8) mit hindurchgehenden Öffnungen (9) versehen wird,–ein für das Halbleiterbauelement vorgesehenes Halbleitersubstrat (1) mittels einer Verbindungsschicht (17) auf dem Hilfsträger (8) befestigt wird,–für die Verbindungsschicht (17) ein Material verwendet wird, mit dem die Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat (1) und dem Hilfsträger (8) bei Temperaturen im Bereich von 250°C bis 400°C erhalten bleibt,–das Halbleitersubstrat (1) von einer von dem Hilfsträger (8) abgewandten Seite her bearbeitet wird und–die Verbindungsschicht (17) mit einem durch die Öffnungen (9) des Hilfsträgers (8) eingebrachten Mittel zumindest soweit entfernt wird, dass die Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat (1) und dem Hilfsträger (8) gelöst wird, dadurch gekennzeichnet, dass–die Verbindungsschicht (17) eine Halbleiterschicht ist,–der Hilfsträger (8) zumindest äußerlich ein Material aufweist, bezüglich dessen die Verbindungsschicht (17) selektiv entfernt werden kann, und–das durch die Öffnungen (9) des Hilfsträgers (8) eingebrachte Mittel die Verbindungsschicht (17) selektiv bezüglich des Hilfsträgers (8) entfernt.
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